[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811599371.0 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110797334B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 松浦永悟 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B80/00 | 分类号： | H10B80/00;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能够在不使用间隔芯片的情况下将一半导体芯片配置在另一半导体芯片上方从而缩小封装尺寸的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备形成着电极的基板、设置在基板的表面上的第1及第2半导体芯片、将第1半导体芯片与电极连接的导线、粘接层、及树脂层。第2半导体芯片在朝向基板侧的面即背面具有形成着突出部的第1区域及第1区域以外的第2区域，第2区域位于第1半导体芯片或导线的至少一部分的上方。粘接层设置在第1区域与基板之间及第2区域与基板之间。树脂层设置在基板上，且被覆第1及第2半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：/n基板，形成着电极；/n第1半导体芯片，设置在所述基板的表面上；/n导线，将所述第1半导体芯片与所述电极连接；/n第2半导体芯片，设置在所述基板的表面上，在朝向所述基板侧的面即背面具有形成着突出部的第1区域及所述第1区域以外的第2区域，所述第2区域位于所述第1半导体芯片或所述导线的至少一部分的上方；/n粘接层，设置在所述第1区域与所述基板之间及所述第2区域与所述基板之间；以及/n树脂层，设置在所述基板上，且被覆所述第1及第2半导体芯片。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司，未经铠侠股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811599371.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率模块及其制造方法
- 下一篇：异质集成芯片的系统级封装结构
