[发明专利]一种太阳能电池制备方法在审

专利信息
申请号: 201811603068.3 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN109671807A 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: 徐冠群;包健;张昕宇;金浩 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/068
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 罗满
地址: 314416 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池制备方法,包括:步骤1,对制绒后的硅片正面进行硼轻扩散后形成硼轻扩散层以及BSG层;步骤2,在BSG层的预定区域进行激光开膜,去除掩膜层形成开膜区;步骤3,在开膜区进行硼重扩散,形成硼重扩散区;步骤4,去除BSG层;步骤5,在硅片正面设置正面钝化层和正面电极层。所述太阳能电池制备方法,通过先在硅片的正面进行轻浓度硼扩散,将硅片的正面变为高方阻区,形成BSG层,然后通过在预定区域激光开膜的方式,将对应的BSG层去除,使得只有在没有BSG层的区域不同区域才能形成硼重扩散区,获得了硼的选择性发射极,提高了电池的开路电压以及发电效率。
搜索关键词: 太阳能电池制备 重扩散 去除 硅片正面 预定区域 硅片 膜区 激光 选择性发射极 正面电极层 正面钝化层 发电效率 开路电压 轻扩散层 硼扩散 掩膜层 方阻 制绒 电池 扩散
【主权项】:
1.一种太阳能电池制备方法,其特征在于,包括:步骤1,对制绒后的硅片正面进行硼轻扩散后形成硼轻扩散层以及BSG层;步骤2,在所述BSG层的预定区域进行激光开膜,去除所述掩膜层形成开膜区;步骤3,在所述开膜区进行硼重扩散,形成硼重扩散区;步骤4,去除所述BSG层;步骤5,在所述硅片正面设置正面钝化层和正面电极层。
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