[发明专利]一种高亮度LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811606148.4 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109545935A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高亮度LED芯片，包括衬底、发光结构、电极结构和绝缘层，所述电极结构包括第一电极、第二电极、以及至少两个设置在第一电极下方的第一孔洞，所述第二电极贯穿绝缘层连接在透明导电层上，所述第一电极设置在绝缘层上，所述第一孔洞从绝缘层刻蚀至第一半导体层，所述第一电极从第一孔洞延伸至第一半导体层并与第一半导体层导电连接。相应地，本发明还提供了一种高亮度LED芯片的制作方法。本发明将第一电极设置在绝缘层上，并在第一电极的下方形成刻蚀至第一半导体层的第一孔洞，从而通过第一孔洞与第一半导体层形成电连接，因此不需要对发光结构进行刻蚀，最大限度地增加了芯片的发光面积，提高芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 第一电极 绝缘层 孔洞 半导体层 芯片 高亮度LED 刻蚀 第二电极 电极结构 发光结构 透明导电层 导电连接 电连接 衬底 制作 发光 贯穿 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种高亮度LED芯片，其特征在于，包括衬底、发光结构、电极结构和绝缘层，所述发光结构包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和透明导电层，所述绝缘层覆盖在发光结构上，所述电极结构包括第一电极、第二电极、以及至少两个设置在第一电极下方的第一孔洞，所述第二电极贯穿绝缘层连接在透明导电层上，所述第一电极设置在绝缘层上，所述第一孔洞从绝缘层刻蚀至第一半导体层，所述第一电极从第一孔洞延伸至第一半导体层并与第一半导体层导电连接，所述绝缘层从第一孔洞侧壁延伸至第一半导体层。
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