[发明专利]一种内存测试拉偏内存供电电压的电路在审

专利信息
申请号: 201811606250.4 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN109712666A 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 高文艳 申请(专利权)人: 郑州云海信息技术有限公司
主分类号: G11C29/50 分类号: G11C29/50;G11C29/56;G11C5/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 450018 河南省郑州市*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明实施例公开了一种内存测试拉偏内存供电电压的电路,包含:电源集成电路、电源集成电路输出引脚通过电感输出为内存供电电压端,电源集成电路反馈电压引脚通过第一电阻与内存供电电压端连接,电源集成电路反馈电压引脚通过第二电阻与地端连接;地端通过电容与内存供电电压端连接,第二电阻两端并联可变电阻。本发明实施例能通过调整可变电阻的阻值实现内存VDD电压的拉偏,解决目前测试中内存VDD电压拉偏只能依赖于通过修改BIOS实现的现状。
搜索关键词: 内存供电电压 电源集成电路 反馈电压 内存测试 地端 电阻 引脚 内存 电路 电感 并联可变电阻 电阻两端 可变电阻 输出引脚 电容 测试 输出
【主权项】:
1.一种内存测试拉偏内存供电电压的电路,其特征在于,包含:电源集成电路、电源集成电路输出引脚通过电感输出为内存供电电压端,电源集成电路反馈电压引脚通过第一电阻与内存供电电压端连接,电源集成电路反馈电压引脚通过第二电阻与地端连接;地端通过电容与内存供电电压端连接,第二电阻两端并联可变电阻。
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