[发明专利]存储器装置、存储器系统和操作存储器装置的方法有效
申请号: | 201811606585.6 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN110085277B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 车相彦 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C29/26 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 史泉;王兆赓 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种存储器装置、存储器系统和操作存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括:存储器单元阵列,包括多个动态存储器单元;纠错码(ECC)引擎;输入/输出(I/O)门控电路,连接在所述ECC引擎与所述存储器单元阵列之间;错误信息寄存器,被配置为存储错误地址和第一校验子,错误地址和第一校验子与存储在所述存储器单元阵列的第一页中的第一码字中的第一错误位相关联;控制逻辑,基于被再次读取并包括与第一错误位不同的第二错误位的第一码字,通过使用存储在所述错误信息寄存器中的第一校验子来恢复与第二错误位相关联的第二校验子,并顺序地校正第一错误位和第二错误位。 | ||
搜索关键词: | 存储器 装置 系统 操作 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器装置,包括存储器单元阵列,包括多个动态存储器单元;纠错码引擎;输入/输出门控电路,连接在所述纠错码引擎与所述存储器单元阵列之间;错误信息寄存器,被配置为存储错误地址和第一校验子,错误地址和第一校验子与存储在所述存储器单元阵列的第一页中的第一码字中的第一错误位相关联;控制逻辑电路,被配置为基于来自外部存储器控制器的地址和命令来控制所述纠错码引擎、所述输入/输出门控电路和所述错误信息寄存器,其中,所述控制逻辑电路还被配置为:基于被再次读取并包括与第一错误位不同的第二错误位的第一码字,通过使用存储在所述错误信息寄存器中的第一校验子来恢复与第二错误位相关联的第二校验子,并顺序地校正第一错误位和第二错误位。
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