[发明专利]沟槽MOSFET和沟槽MOSFET的制造方法在审
| 申请号： | 201811607412.6 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111384168A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 肖璇;叶俊;李杰 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了沟槽MOSFET和沟槽MOSFET的制造方法，所述沟槽MOSFET包括外延层、多个沟槽和体区；外延层具有第一导电类型；沟槽形成于所述外延层中，所述多个沟槽的至少两个相连通；所述沟槽的内部设置有栅结构；体区具有第二导电类型，设置在所述沟槽之间。发明的沟槽MOSFET的至少一沟槽与至少两个沟槽相连通，体区设置在所述沟槽之间，使得体区邻接于沟槽的表面积增大，可发生导电类型反转形成反型层的区域变大，增加了体区中形成反型层的密度，即增加了导电沟道的密度，降低了沟槽MOSFET的沟道电阻，从而降低了沟槽MOSFET的比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
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