[发明专利]介电间隙填充有效
| 申请号： | 201811608154.3 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110600421B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 彭羽筠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 通常，提供关于用介电材料填充间隙的实例，例如填充用于浅沟槽隔离(STI)的鳍之间的沟槽。在一个实施例中，使用原子层沉积(ALD)工艺将第一介电材料共形地沉积在沟槽中。在共形地沉积第一介电材料之后，第一介电材料被转换为第二介电材料。在进一步的实例中，第一介电材料可以共形地沉积在另一个沟槽中，并且填充介电材料可以流入其他沟槽中并被转换。本发明实施例涉及介电间隙填充。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙 填充 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理的方法，所述方法包括：/n使用原子层沉积(ALD)工艺在沟槽中共形地沉积第一介电材料；和/n在共形地沉积所述第一介电材料之后，将所述第一介电材料转换成第二介电材料。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
