[发明专利]一种倒置有机电致发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811608548.9 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109713150A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘家杰;陈旻彧;赵艺;杨佳丽;凌志天;丁星伟;徐韬;李春亚;魏斌 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 200000*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种倒置有机电致发光器件及其制备方法。所述倒置有机电致发光器件，包括：半导体透明导电膜、铝层、有机层以及金属电极；所述半导体透明导电膜为基底层，所述铝层设于所述半导体透明导电膜以及所述有机层之间，所述金属电极覆于所述有机层的上表面，形成倒置有机电致发光器件。采用本发明所提供的倒置有机电致发光器件及其制备方法能够提高有机电致发光器件的电流效率。 | ||
| 搜索关键词： | 有机电致发光器件 倒置 半导体透明导电膜 有机层 制备 金属电极 铝层 电流效率 基底层 上表面 | ||
【主权项】：
1.一种倒置有机电致发光器件，其特征在于，包括：半导体透明导电膜、铝层、有机层以及金属电极；所述半导体透明导电膜为基底层，所述铝层设于所述半导体透明导电膜以及所述有机层之间，所述金属电极覆于所述有机层的上表面，形成倒置有机电致发光器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学，未经上海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811608548.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
