[发明专利]激光处理设备及激光处理方法在审
| 申请号： | 201811609820.5 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109994395A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 金玟秀;朴世濚;宋贤锡 | 申请（专利权）人： | AP系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道华城市东滩面东滩产*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光处理设备和激光处理方法，激光处理设备和激光处理方法可在使用激光束处理衬底的同时实时地检测衬底的变形。激光处理设备包含：平台，经过安装以便将衬底定位在腔室内部；第一检测单元，配置成检测从衬底反射的激光束的反射光；第二检测单元，配置成检测衬底高度；以及感测单元，分析收集的数据且确定衬底的变形。激光处理方法包含：在处理方向上移动衬底时，用激光束照射衬底；检测从衬底反射的反射光和衬底的高度；以及分析检测到的数据以检测衬底的变形。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 激光处理设备 激光处理 检测 变形 反射光 反射 激光束处理 激光束照射 衬底定位 第二检测 分析检测 感测单元 腔室内部 激光束 上移动 配置 分析 | ||
【主权项】：
1.一种激光处理设备，其特征在于，包括：腔室，具有位于所述腔室中的处理空间以及安装在所述腔室的一侧上的透射窗口；平台，经过安装以便将衬底定位在所述腔室的内部；第一检测单元，配置成检测从所述衬底反射的反射光；第二检测单元，配置成检测所述衬底的高度；以及感测单元，收集通过所述第一检测单元以及所述第二检测单元检测的数据，分析收集的所述数据以及确定所述衬底的变形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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