[发明专利]晶圆处理方法和装置在审
| 申请号： | 201811610286.X | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109605207A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 崔世勋;具成旻;李昀泽;白宗权 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/00 | 分类号： | B24B37/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;贾玉 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆处理方法和装置，晶圆处理方法包括以下步骤：抛光晶圆的切口；抛光晶圆的边缘，重复交替执行抛光晶圆的切口和抛光晶圆的边缘，并以抛光晶圆的边缘结束。根据本发明的晶圆处理方法，通过抛光晶圆的切口和抛光晶圆的边缘重复交替进行，并以抛光晶圆的边缘结束，改善切口角附近的突起去除率，提高切口研磨品质，降低边缘区域降落的颗粒对后续工序的影响，通过上述方法处理晶圆不会降低产能，能够通过增加边缘面的整体研磨量来减少边缘未研磨导致的缺陷，减少再作业率，增强晶圆边缘的研磨效果。通过晶圆处理装置能够实现上述的方法，保证晶圆的研磨品质。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光晶圆 晶圆 研磨 方法和装置 晶圆处理装置 边缘区域 后续工序 交替执行 晶圆边缘 整体研磨 作业率 突起 重复 产能 去除 种晶 降落 保证 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，抛光所述晶圆的切口；步骤S2，抛光所述晶圆的边缘；重复交替执行步骤S1和步骤S2，并以步骤S2结束。
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