[发明专利]一种用于制备高储能密度电容器的GR-TiO2-PVDF纳米复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811610583.4 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109777009A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 许仁俊;陈建文;王修才;朱文博;施淞瀚;吴徐平;叶大贵;林浩勃;陆江南;黄穗龙;朱珍 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K3/04;C08K3/22;C08J5/18;H01G4/18;H01G4/33;H01G13/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 谢泳祥 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制备高储能密度电容器的GR‑TiO2‑PVDF纳米复合材料的制备方法，将纳米石墨烯与纳米TiO2弥散共掺入有机聚合物基体PVDF中，制得的GR‑TiO2‑PVDF纳米复合材料的介电常数大大提升。同时，本发明还公开了一种利用上述制备方法制得的GR‑TiO2‑PVDF纳米复合材料，该材料可用于制备高储能密度电容器，所制得的高储能密度电容器的介电常数提高至37、损耗降低、击穿场强提升至356.0MV/m、储能密度提升至20.5J/m3。本发明的制备方法操作简单，效率高，适合大规模生产，制得的GR‑TiO2‑PVDF纳米复合材料介电性能优异，可有效地降低耗能，提升节能性能；电介质膜厚度可控，可微型化、轻型化并应用于集成电路；储能密度更高，电能存储能力提升，均匀电场的能力增强，适合应用在制备高储能密度电容器中。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 高储能密度电容器 纳米复合材料 介电常数 储能 有机聚合物基体 微型化 电介质膜 电能存储 厚度可控 击穿场强 节能性能 介电性能 均匀电场 纳米石墨 能力增强 损耗降低 有效地 弥散 共掺 耗能 可用 集成电路 应用 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备高储能密度电容器的GR‑TiO2‑PVDF纳米复合材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1.按比例称取纳米TiO2、纳米GR、PVDF和溶剂，其中，纳米TiO2、纳米GR和PVDF作为溶质，DMF作为溶剂，且纳米TiO2、纳米GR和PVDF的质量比为1：399：9600；溶质与溶剂的用量比为1g：(10～30)L；S2.取15～25ml的DMF，搅拌的同时缓慢加入纳米TiO2，密封搅拌5～10min；S3.打开密封盖，搅拌的同时缓慢加入纳米GR，继续搅拌20～60min；S4.超声分散30～60min，继续搅拌10～30min；S5.将PVDF分成等量的两份，分两次缓慢加入步骤S4所得溶液中，两次加入PVDF的间隔时长为2～5min，在30～70℃下磁力搅拌2～4h，使得PVDF充分溶解，得GR‑TiO2‑PVDF纳米复合材料。
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