[发明专利]磁传感器有效
| 申请号： | 201811610981.6 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109974569B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 须藤俊英 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02;G01B7/00;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的磁传感器具有磁阻元件，该磁阻元件具有多层结构和磁敏轴，并且至少一个软磁体设置在磁阻元件附近。从磁阻元件的层叠方向上观察，软磁体至少在其角部具有倾斜线,该倾斜线相对于所述软磁体的向该角部延伸的两边倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，其特征在于，包括：磁阻元件，其具有多层结构和磁敏轴；以及至少一个软磁体，其设置在所述磁阻元件附近，其中，从所述磁阻元件的层叠方向上观察，所述软磁体至少在其角部具有倾斜线,该倾斜线相对于所述软磁体的向所述角部延伸的两边倾斜。
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