[发明专利]晶圆处理方法和装置在审
| 申请号： | 201811612240.1 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109698122A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 崔世勋;具成旻;李昀泽;白宗权 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;贾玉 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆处理方法和装置，根据本发明的晶圆处理方法，在对晶圆进行端面研磨之前，去除晶圆上的自然氧化膜，去除晶圆上的自然氧化膜包括以下步骤：控制晶圆旋转并利用清洗液对晶圆进行清洗。根据本发明的晶圆处理方法，在对晶圆进行端面研磨之前，去除晶圆上的自然氧化膜，通过控制晶圆旋转并利用清洗液对晶圆进行清洗以去除自然氧化膜，能够避免污染源对晶圆造成损伤，避免自然氧化膜在研磨时引发化学掩膜现象，减少自然氧化膜对研磨的影响，使得研磨速度均匀稳定，摩擦力均匀变化，提高研磨品质。通过上述晶圆处理装置能够实现上述方法，能够较好地对晶圆进行清洗以去除自然氧化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 自然氧化膜 去除 研磨 清洗 方法和装置 端面研磨 清洗液 晶圆处理装置 均匀变化 掩膜 种晶 污染源 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，在对晶圆进行端面研磨之前，去除晶圆上的自然氧化膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司，未经西安奕斯伟硅片技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811612240.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路的制造方法
- 下一篇：半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
