[发明专利]一种双键聚合物量子点膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201811614023.6 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109694518B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 舒维;赵贵红;马雅琳;罗春明;唐安斌;李建学 | 申请（专利权）人： | 四川东方绝缘材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C08L23/12 | 分类号： | C08L23/12;C08L23/14;C08L25/10;C08L27/16;C08L23/06;C08L23/08;C08K3/08;C08K3/22;C08K3/30;C08K3/36;C08J7/12;C09D129/04;C09D175/04;C09D163/00 |
| 代理公司： | 成都蓉信三星专利事务所(普通合伙) 51106 | 代理人： | 刘克勤 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种双键聚合物量子点膜及其制备方法，其特征是：该双键聚合物量子点膜是由A层材料和B层材料经三层共挤流涎或双向拉伸后制得的A层厚度为10～200μm、B层厚度为18～300μm的ABA三层薄膜结构的量子点一级基膜，再在量子点一级基膜双表面上进行氟化技术处理后制得ABA三层薄膜结构的量子点二级基膜，再在量子点二级基膜双表面上涂布热固性树脂并形成烘干厚度为1～10μm涂层而制备得到的双键聚合物量子点膜；该膜的水蒸气透过率为0.01～0.1g/m |
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| 搜索关键词： | 一种 双键 聚合物 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双键聚合物量子点膜，其特征是：该双键聚合物量子点膜是由A层材料和B层材料经三层共挤流涎或双向拉伸后制得的A层厚度为10～200μm、B层厚度为18～300μm的ABA三层薄膜结构的量子点一级基膜，再在量子点一级基膜双表面上进行氟化技术处理后制得ABA三层薄膜结构的量子点二级基膜，再在量子点二级基膜双表面上涂布热固性树脂并形成烘干厚度为1～10μm涂层而制备得到的双键聚合物量子点膜；所述A层材料为0.1～5质量份的微米级光扩散剂、0～95质量份的偏二氯乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物和0～95质量份的聚烯烃树脂组成的混合物，其中偏二氯乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物和聚烯烃树脂的用量不同时为零且总用量为95质量份；所述B层材料为0.02～2质量份的量子点、0.1～10质量份的微米级光扩散剂和80～99质量份的聚烯烃树脂混合组成；所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的混合物；所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物。
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