[发明专利]一种氮化铝单晶晶须的制备方法在审
| 申请号： | 201811615921.3 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109505010A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 陈贵锋;崔起源;张辉;解新建;谢路肖 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/38;C30B29/62 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 300401 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化铝单晶晶须的制备方法，步骤如下：将高纯铝颗粒加入到刚玉舟中，与衬底一同放入氢化物气相外延设备的反应室，分别置于源区和生长区；抽真空后，控制源区温度为1400℃，生长区温度为1550℃，氩气为载气，氮气为氮源，在衬底上进行氮化铝晶须的制备，生长时间在40～90min；结束生长后，降至室温，取出样品，衬底表面有一层白色沉积物即为氮化铝单晶晶须。此方法生长氮化铝单晶晶须结晶质量高，且该方法具有操作简单，成本低，效率高，无危险气体等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶晶须 氮化铝 制备 生长区 衬底 生长 氢化物气相外延 氮气 白色沉积物 氮化铝晶须 氩气 衬底表面 抽真空 反应室 高纯铝 控制源 无危险 氮源 放入 刚玉 源区 载气 取出 | ||
【主权项】：
1.一种氮化铝单晶晶须的制备方法，其特征在于，步骤如下：1)备料：称量高纯铝颗粒放入刚玉舟中备用；利用丙酮和异丙醇清洗衬底表面；2)装料：氢化物气相外延设备反应室中刚玉管的一端作为进气口，将步骤1)装有铝颗粒的刚玉舟从另一端推入刚玉管中，直至源区位置，再将衬底放入刚玉管内距离刚玉管端口5～10cm处；3)生长：先将反应室内抽真空至真空度为30Pa以下，之后通入氮气，将源区温度升温至1400℃，衬底所处的生长区温度升温至1550℃，温度到达设定值后，通入氩气，调节氮气及氩气流量，使压力控制为10kPa，保温40～90min；4)降温：循环冷却水冷却至室温，取出样品，在衬底上生长有白色沉积物即为氮化铝单晶晶须。
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