[发明专利]控制晶面暴露取向的单晶铜箔的制备方法

摘要

本发明公开了一种控制晶面暴露取向的单晶铜箔的制备方法。本发明使用一种简单易行、技术门槛低的动态退火方法，且使用工业界丰富的廉价易得的未除去残余应力的多晶铜箔，并在简单控制气氛和表面状态的条件下快速高效地制备出晶面取向可控的单晶铜箔。本发明应用于单晶铜箔制备领域。

主权项

1.一种控制晶面暴露取向的单晶铜箔的制备方法，包括：1)以含有应力的多晶铜箔为原料，探查所述原料表面的晶面暴露情况；2)根据步骤1)探查所得原料表面的晶面暴露情况，选择含氧气氛或还原性气氛：当目标产物为暴露面为{100}晶面的单晶铜箔时，选择含氧气氛及表面暴露面为{100}晶面的所述原料；当目标产物为暴露面为{111}晶面的单晶铜箔时，选择还原性气氛及表面暴露面为{111}晶面的所述原料；3)将步骤1)所述原料置于步骤2)所述含氧气氛或还原性气氛中进行预处理；4)在步骤3)所用气氛及移动温区中进行退火，所述移动温区由原料的最左端移动至最右端，得到暴露面为目标晶面的单晶铜箔；所述移动温区由最左端至最右端温度逐渐降低，且移动温区的最高温度大于600℃；最低温度为室温；每次在移动温区中进行退火时，移动温区的温度梯度始终不低于50℃/cm。