[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201811619564.8 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN110021668A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李正韩;朴成哲;李允逸;金并基;全英敏;河大元;黄寅灿;朴宰贤;申宇哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括：多个栅电极，在衬底上交叉有源图案并沿第二方向延伸，所述多个栅电极在第一方向上彼此间隔开；栅极分隔图案，具有在第一方向上的长轴并且在所述多个栅电极中的两个栅电极之间，所述多个栅电极中的所述两个栅电极在第二方向上彼此相邻；以及多个栅极间隔物，覆盖所述多个栅电极中的相应栅电极的侧壁，栅极间隔物交叉栅极分隔图案并沿第二方向延伸。栅极分隔图案包括沿第一方向延伸的下部、从下部突出并具有第一宽度的中间部分、以及在两个相邻的栅极间隔物之间并从中间部分突出的上部，上部具有小于第一宽度的第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 栅电极 栅极间隔物 方向延伸 分隔图案 半导体器件 部分突出 源图案 侧壁 长轴 衬底 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括沿第一方向延伸的有源图案；多个栅电极，交叉所述有源图案并且沿第二方向延伸，所述多个栅电极在所述第一方向上彼此间隔开；栅极分隔图案，具有在所述第一方向上的长轴并且在所述多个栅电极中的两个栅电极之间，所述多个栅电极中的所述两个栅电极在所述第二方向上彼此相邻；以及多个栅极间隔物，覆盖所述多个栅电极中的相应栅电极的侧壁，所述栅极间隔物交叉所述栅极分隔图案并且沿所述第二方向延伸，其中所述栅极分隔图案包括：下部，沿所述第一方向延伸；中间部分，从所述下部突出并且具有第一宽度，以及上部，在两个相邻的栅极间隔物之间并且从所述中间部分突出，所述上部具有小于所述第一宽度的第二宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811619564.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
