[发明专利]GaN HEMT漏极控制电路及设备有效
| 申请号： | 201811619641.X | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109768789B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 谢路平;樊奇彦;刘江涛;李合理 | 申请（专利权）人： | 京信网络系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 关志琨 |
| 地址： | 510663 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种GaN HEMT漏极控制电路及设备。GaN HEMT漏极控制电路，包括：漏压开关驱动电路以及第一N型MOS管。漏压开关驱动电路的第一输入端用于连接外部电源，第二输入端用于接入漏压控制信号，第一输出端连接第一N型MOS管的栅极，第二输出端连接第一N型MOS管的漏极，第三输出端连接所述第一N型MOS管的源极；第一N型MOS管的源极用于连接GaN HEMT的漏极。基于上述结构，漏压开关驱动电路接收漏压控制信号，输出驱动信号给第一N型MOS管的栅极，控制第一N型MOS管漏源两极的通断；利用第一N型MOS管来控制GaN HEMT漏压的开与关，能够实现漏压开关的高速切换，同时，可降低漏极电源开关的损耗以及电路成本，提高电路的可靠性和效率。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 控制电路 设备 | ||
【主权项】：
1.一种GaN HEMT漏极控制电路，其特征在于，包括：漏压开关驱动电路以及第一N型MOS管；所述漏压开关驱动电路的第一输入端用于连接外部电源，所述漏压开关驱动电路的第二输入端用于接入漏压控制信号；所述漏压开关驱动电路的第一输出端连接所述第一N型MOS管的栅极，所述漏压开关驱动电路的第二输出端连接所述第一N型MOS管的漏极，所述漏压开关驱动电路的第三输出端连接所述第一N型MOS管的源极；所述第一N型MOS管的源极用于连接GaN HEMT的漏极。
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