[发明专利]一种基于无线充电的肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811620033.0 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585571A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘奕晨 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/16;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于无线充电的肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括：选取SiO2衬底；在所述SiO2衬底表面形成第一Ge层；采用连续激光扫描所述第一Ge层，以及使连续激光扫描后的第一Ge层自然冷却后再结晶；在所述再结晶后的第一Ge层的表面形成第二Ge层；对所述第二Ge层进行离子注入，形成第一N型Ge层；在所述第一N型Ge层上形成第一电极和第二电极。应用本发明实施例能够提高基于无线充电的肖特基二极管的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 无线充电 制备 连续激光 再结晶 扫描 电子迁移率 表面形成 衬底表面 第二电极 第一电极 衬底 离子 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于无线充电的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：选取SiO2衬底；在所述SiO2衬底表面形成第一Ge层；采用连续激光扫描所述第一Ge层，以及使连续激光扫描后的第一Ge层自然冷却后再结晶；在所述再结晶后的第一Ge层的表面形成第二Ge层；对所述第二Ge层进行离子注入，形成第一N型Ge层；在所述第一N型Ge层上形成第一电极和第二电极。
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