[发明专利]介电膜、具备该介电膜的半导体存储元件以及制造方法有效
| 申请号： | 201811623772.5 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN110400792B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 金成根;李愚澈;金相兑;宋眩澈;白承协;崔志远;金镇相;姜钟鈗;C·W·比尔劳斯基;廉政桓;E·S·拉森 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种介电膜，其由化学式为Be |
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| 搜索关键词： | 介电膜 具备 半导体 存储 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种介电膜，其特征在于，由化学式为BexM1‑xO的化合物构成，所述M是碱土金属中的一种，所述x的值大于0且小于0.5，且所述介电膜具有岩盐结构作为常温稳定相。
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