[发明专利]含静电放电保护电路的半导体集成电路器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811624243.7 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN110581126B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 崔正哲;柳宰永 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/082;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 含静电放电保护电路的半导体集成电路器件及其制造方法。一种半导体集成电路器件可以包括半导体基板、有源阱、发射极、基极、集电极、主体接触区域和阻挡阱。半导体基板可以具有第一导电类型。有源阱可以形成在半导体基板中。有源阱可以具有第二导电类型。发射极和基极可以形成在有源阱中。集电极可以在有源阱外形成在半导体基板中。主体接触区域可以形成在半导体基板中，以将集电极和半导体基板电连接。主体接触区域的导电类型可以与集电极的导电类型基本相同。阻挡阱可以被构造为围绕主体接触区域的外壁。阻挡阱可以具有第二导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 电路 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件，该半导体集成电路器件包括：/n半导体基板，所述半导体基板具有第一导电类型；/n有源阱，所述有源阱具有第二导电类型，并且形成在所述半导体基板中；/n发射极，所述发射极形成在所述有源阱中；/n基极，所述基极形成在所述有源阱中；/n集电极，所述集电极在所述有源阱外部形成在所述半导体基板中；/n主体接触区域，所述主体接触区域形成在所述半导体基板中，以将所述半导体基板和所述集电极电连接，所述主体接触区域具有与所述集电极的导电类型基本相同的导电类型；以及/n阻挡阱，所述阻挡阱具有所述第二导电类型，并且被构造为围绕所述主体接触区域。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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