[发明专利]阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201811627577.X | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN110767694B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 刘如胜;楼均辉;张露;孙婕;张萌 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京曼威知识产权代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志炜 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。阵列基板包括:衬底;第一电极层,所述第一电极层形成于所述衬底上;发光层,所述发光层包括第一发光区、第二发光区和第三发光区,所述第二发光区位于所述第一发光区和所述第三发光区之间,所述第一发光区为非透明区、所述第三发光区为透明区,所述第一发光区包括多个第一发光结构、所述第二发光区包括多个第二发光结构、所述第三发光区包括多个第三发光结构;第二电极层,所述第二电极层形成于所述发光层上;其中,所述多个第一发光结构、所述多个第二发光结构和所述多个第三发光结构的分布密度依次渐变。 | ||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:/n衬底;/n第一电极层,所述第一电极层形成于所述衬底上;/n发光层,所述发光层包括第一发光区、第二发光区和第三发光区,所述第二发光区位于所述第一发光区和所述第三发光区之间,所述第一发光区为非透明区、所述第三发光区为透明区,所述第一发光区包括多个第一发光结构、所述第二发光区包括多个第二发光结构、所述第三发光区包括多个第三发光结构;/n第二电极层,所述第二电极层形成于所述发光层上;/n其中,所述多个第一发光结构、所述多个第二发光结构和所述多个第三发光结构的分布密度依次渐变。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的