[发明专利]双传输门及用于双传输门的双规则集成电路布局有效
| 申请号： | 201811629442.7 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN110661518B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 彭士玮;庄惠中;曾健庭;田丽钧;苏品岱;林威呈 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了双传输门和用于双传输门的各种示例性集成电路布局。集成电路布局表示双高度集成电路布局，也称为双规则集成电路布局。这些双规则集成电路布局包括电子器件设计基板面的多行中的第一组行，和电子器件设计基板面的多行中的第二组行，以容纳半导体堆叠件的第一金属层。第一组行可以包括诸如第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的第一对CMOS晶体管，并且第二组行可以包括诸如第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的第二对CMOS晶体管。这些示例性集成电路布局公开了设置在半导体堆叠件的氧化物扩散(OD)层、多晶硅层、金属扩散(MD)层、第一金属层和/或第二金属层内的各种几何形状的各种配置和布置。 | ||
| 搜索关键词： | 传输 用于 规则 集成电路 布局 | ||
【主权项】：
1.一种双传输门，包括：/n第一p型金属氧化物半导体场效应(PMOS)晶体管，设置在电子器件设计基板面的多行中的第一行内，配置为接收第一时钟信号；/n第一n型金属氧化物半导体场效应(NMOS)晶体管，设置在所述多行中的第二行内，配置为接收第二时钟信号；/n第二PMOS晶体管，设置在所述多行中的第三行内，配置为接收所述第二时钟信号；/n第二NMOS晶体管，设置在所述多行中的第四行内，配置为接收所述第一时钟信号；/n第一区和第二区，对应于第一时钟信号，分别沿着所述第一行和所述第四行设置在半导体堆叠件的第一互连层内；/n第三区，沿着所述电子器件设计基板面的多列中的第一列设置在所述半导体堆叠件的第二互连层内，并且配置为电连接所述第一区和所述第二区。/n
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