[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201811637034.6 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN110211613B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 金雄来;李泰龙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/12 | 分类号： | G11C8/12;G11C7/22 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种半导体器件，包括：存储区域选择电路，适用于基于存储区域地址信号和模式识别信号产生多个存储区域选择信号，并在第一模式期间激活多个存储区域选择信号之中的一个或多个存储区域选择信号，或在第二模式期间激活多个存储区域选择信号之中的两个或更多个存储区域选择信号；列选择电路，适用于基于列地址信号和模式识别信号产生多个列选择信号，并在第一模式期间改变多个列选择信号，或在第二模式期间保持多个列选择信号；以及多个存储区域，基于多个存储区域选择信号和多个列选择信号，在第一模式期间其中的一个或多个存储区域被访问，或者在所述第二模式期间其中的两个或更多个存储区域被访问。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：存储区域选择电路，其适用于基于存储区域地址信号和模式识别信号而产生多个存储区域选择信号，并且在第一模式期间激活所述多个存储区域选择信号之中的一个或多个存储区域选择信号，或者在第二模式期间激活所述多个存储区域选择信号之中的两个或更多个存储区域选择信号；列选择电路，其适用于基于列地址信号和所述模式识别信号而产生多个列选择信号，并且在所述第一模式期间改变所述多个列选择信号，或者在所述第二模式期间保持所述多个列选择信号；以及多个存储区域，基于所述多个存储区域选择信号和所述多个列选择信号，在所述第一模式期间所述多个存储区域中的一个或多个存储区域被访问，或者在所述第二模式期间所述多个存储区域中的两个或更多个存储区域被访问。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811637034.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
