[发明专利]一种太阳电池中多晶硅膜层的钝化方法

摘要

本发明提供了一种太阳电池中多晶硅膜层的钝化方法，包括以下步骤：A)在多晶硅膜层的表面沉积一层掩膜，然后在所述掩膜的表面复合一层指栅线图形的有机蜡，得到预处理的多晶硅膜层；B)将预处理的多晶膜层先浸入第一HF溶液中，蚀刻没有有机蜡保护区域的掩膜，再使用碱溶液将有机蜡清洗除去；C)将除去有机蜡的多晶硅膜层浸入制绒碱液中，蚀刻没有掩膜保护区域的多晶硅膜层，再使用第二HF溶液将掩膜清洗除去，得到具有指栅线图案的多晶硅膜层；D)将所述具有指栅线图案的多晶硅膜层依次进行钝化和丝网印刷。本发明利用掩膜和有机蜡实现选择性的多晶硅钝化技术，达到金属区域多晶硅保留，其他地方被刻蚀掉，而且实现了极低的吸光系数。

主权项

1.一种太阳电池中多晶硅膜层的钝化方法，包括以下步骤：A)在多晶硅膜层的表面沉积一层掩膜，然后在所述掩膜的表面复合一层指栅线图形的有机蜡，得到预处理的多晶硅膜层；B)将预处理的多晶硅膜层先浸入第一HF溶液中，蚀刻没有有机蜡保护区域的掩膜，再使用碱溶液将有机蜡清洗除去；C)将除去有机蜡的多晶硅膜层浸入制绒碱液中，蚀刻没有掩膜保护区域的多晶硅，再使用第二HF溶液将掩膜清洗除去，得到具有指栅线图案的多晶硅膜层；D)将所述具有指栅线图案的多晶硅膜层依次进行钝化、丝网印刷和烧结。