[发明专利]一种功率半导体MOS器件及其制备方法

摘要

一种功率半导体MOS器件及其制备方法，为提供一种维持足够高的阈值电压的基础上，降低器件的沟道电阻和导通损耗的半导体器件，本发明提供一种如下的技术方案：在P型体区内设有N型沟道埋层，并将栅介质层分为与P型体区和漂移区接触的可发生电子隧穿效应的第一栅介质层、位于第一栅介质层上的用于捕获从第一栅介质层隧穿而来的电子并使其成为固定负电荷的第二栅介质层以及位于第二栅介质层上的用于隔离第二栅介质层与栅电极的第三栅介质层，本发明所提供的碳化硅功率MOSFET相对于传统的碳化硅功率MOSFET而言，可以在维持足够高的阈值电压的基础上，大大降低电子沟道的导通电阻，继而实现更低的MOSFET导通损耗。

主权项

1.一种功率半导体MOS器件，所述的功率半导体MOS器件包括有：位于底部的漏电极；位于漏电极之上的半导体衬底，所述的半导体衬底包括N⁺型掺杂的半导体基底区、N型掺杂的漂移区、位于N型漂移区表面的P型体区、位于P型体区表面的N⁺型源极区以及P⁺欧姆接触区；和所述的N型漂移区和P型体区相连接的栅介质层；位于栅介质层上的栅电极和源极电极，所述的源极电极与N⁺型源极区和P⁺欧姆接触区分别相连，所述的栅电极与所述源极电极之间通过层间介质层相隔；其特征在于，所述的P型体区内部设有N型掺杂的沟道埋层，所述的沟道埋层与其临近的N⁺型源极区和漂移区相连，并和其临近的栅介质层相隔，所述的栅介质层包括有与P型体区和漂移区接触的可发生电子隧穿效应的第一栅介质层、位于第一栅介质层上的用于捕获从第一栅介质层隧穿而来的电子并使其成为固定负电荷的第二栅介质层以及位于第二栅介质层上的用于隔离第二栅介质层与栅电极的第三栅介质层。