[发明专利]一种DTSCR器件在审
| 申请号： | 201811646024.9 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109904215A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王源;张立忠 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种DTSCR器件，包括：P型衬底，所述P型衬底上从左至右依次设置有预设P+掺杂区、预设N+掺杂区以及多个N阱区，所述多个N阱区中的所有N阱区从左至右依次连接；所述预设N+掺杂区的部分区域构成预设N阱区；其中，所述预设P+掺杂区和所述预设N+掺杂区均为源区。本发明实施例提供的一种DTSCR器件，将预设N+掺杂区的部分区域构成预设N阱区，实现了抑制DTSCR的二次触发现象，满足ESD设计要求。而且，还可以通过DTSCR器件中的二极管的数量实现对DTSCR整体触发电压的精确调节，从而满足不同的ESD设计需求。 | ||
| 搜索关键词： | 预设 掺杂区 衬底 二极管 触发电压 依次连接 依次设置 触发 源区 | ||
【主权项】：
1.一种DTSCR器件，其特征在于，包括：P型衬底，所述P型衬底上从左至右依次设置有预设P+掺杂区、预设N+掺杂区以及多个N阱区，所述多个N阱区中的所有N阱区从左至右依次连接；所述预设N+掺杂区的部分区域构成预设N阱区；其中，所述预设P+掺杂区和所述预设N+掺杂区均为源区。
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