[发明专利]一种Cu-Se-S体系热电材料及其制备方法

摘要

本发明涉及热电材料技术领域，具体公开了一种Cu‑Se‑S体系热电材料，该材料中Cu:Se:S的摩尔比为2:(1‑x):x，其中0＜x＜1，该材料由单相Cu‑Se‑S三元合金通过原位相分离得到的Cu2Se相和Cu2S相组成，Cu2S相弥散分布在Cu2Se相中，Cu2Se相的晶粒尺寸为200‑500nm，Cu2S相的尺寸为10‑50nm。采用本专利的技术方案得到了既含有Cu2S又含有Cu2Se的合金材料，Cu‑Se‑S体系合金的热电性能得到较大的提升。

主权项

1.一种Cu‑Se‑S体系热电材料，其特征在于：该材料中Cu:Se:S的摩尔比为2:(1‑x):x，其中0＜x＜1，该材料由单相Cu‑Se‑S三元合金通过原位相分离得到的Cu₂Se相和Cu₂S相组成，Cu₂S相弥散分布在Cu₂Se相中，Cu₂Se相的晶粒尺寸为200‑500nm，Cu₂S相的尺寸为10‑50nm。