[发明专利]具有共享柱结构的多栅极串驱动器在审
申请号: | 201811654037.0 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN110021609A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 合田晃;刘海涛;陈进;黄广宇;M·阿萨迪拉德 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551;H01L27/11526;H01L27/11578;H01L27/11573 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请案涉及具有共享柱结构的多栅极串驱动器。一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。一些所述设备包含:第一组导电材料,其与第一组电介质材料交错;柱,其延伸穿过所述导电材料及所述电介质材料;存储器单元,其是沿第一柱定位;导电触点,其耦合到所述第一组导电材料中的导电材料;及额外柱,其延伸穿过第二组导电材料及第二组电介质材料。第二柱包含:第一部分,其耦合到导电区域;第二部分;第三部分;及第四部分,其耦合到所述导电触点。所述第二部分位于所述第一部分与所述第三部分之间。所述额外柱中的每一者的所述第二部分是从所述额外柱中的第一柱延伸到第二柱的材料块的部分。 | ||
搜索关键词: | 导电材料 电介质材料 耦合到 驱动器 导电触点 延伸穿过 柱结构 存储器单元 导电区域 材料块 申请案 共享 交错 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种设备,其包括:第一组导电材料,其与第一组电介质材料交错;柱,其延伸穿过所述第一组导电材料及所述第一组电介质材料;存储器单元,其是沿第一柱定位;导电触点,其耦合到所述第一组导电材料中的导电材料;及额外柱,其延伸穿过第二组导电材料及第二组电介质材料,所述额外柱中的每一者包含第一部分、第二部分、第三部分及第四部分,所述第二部分及所述第三部分位于所述第一部分与所述第四部分之间,且所述第二部分位于所述第一部分与所述第三部分之间,其中所述第一部分耦合到导电区域;且所述第四部分耦合到所述导电触点,且其中所述额外柱中的每一者的所述第二部分是从所述额外柱中的第一柱延伸到所述额外柱中的第二柱的材料块的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的