[实用新型]电子装置

摘要

本公开涉及一种电子装置。衬底包括掺杂有相反导电类型的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层在PN结处彼此接触以形成结型二极管。由绝缘层侧向包围的导电区域形成的至少一个硅通孔结构完全穿过第一半导体层并且部分穿过第二半导体层延伸，硅通孔结构具有嵌入在第二半导体层中并且与第二半导体层物理接触和电接触的后端。第一电连接件被制作成连接到第一硅通孔结构，并且第二电连接件被制作成连接到第一半导体层。在第一电连接件和第二电连接件处施加并感测测试电流，以检测至少一个硅通孔结构中的缺陷。

主权项

1.一种电子装置，其特征在于，包括：半导体衬底，包括第一导电类型的第一半导体层和与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层在PN结处彼此接触以形成结型二极管；第一硅通孔结构，包括由绝缘层侧向包围的导电区域，所述第一硅通孔结构完全穿过所述第一半导体层并且部分穿过所述第二半导体层延伸，所述第一硅通孔结构的后端嵌入所述第二半导体层中，所述导电区域与所述第二半导体层的第二导电类型掺杂半导体材料物理接触且电接触；第一电连接件，被制作成连接到所述第一硅通孔结构的前端；以及第二电连接件，被制作成连接到所述第一半导体层的第一导电类型掺杂半导体材料。