[实用新型]一种背接触太阳能电池有效
申请号: | 201820123197.1 | 申请日: | 2018-01-24 |
公开(公告)号: | CN207705205U | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 林建伟;何大娟;刘志锋;季根华;刘勇 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 225500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种背接触太阳能电池,包括P型晶体硅基体,背表面从内到外依次包括隧穿氧化层、交替排列的背表面n+掺杂多晶硅区域和激光开槽区域、钝化膜和金属电极;金属电极包括与背表面n+掺杂多晶硅区域欧姆接触的银电极和与背表面激光开槽区域欧姆接触的铝电极;前表面从内到外依次为p+掺杂区域和前表面钝化减反膜。其有益效果是:P型晶体硅基体背表面的发射极区域采用n+掺杂多晶硅钝化层,背表面由铝浆电极形成p+区域并采用氧化铝膜钝化,实现了背表面的钝化接触和场钝化效应,降低了电池背表面的复合速率,提升了开路电压和短路电流;并用铝浆形成背面p+区域,相对传统工艺,减少了一步扩散掺杂步骤,精简了工艺流程,节约了电池成本。 | ||
搜索关键词: | 背表面 钝化 背接触太阳能电池 掺杂多晶硅区域 激光开槽 金属电极 欧姆接触 前表面 铝浆 本实用新型 掺杂多晶硅 发射极区域 隧穿氧化层 掺杂区域 传统工艺 电池成本 电极形成 短路电流 交替排列 开路电压 氧化铝膜 一步扩散 工艺流程 场钝化 钝化层 钝化膜 铝电极 银电极 背面 掺杂 并用 电池 复合 节约 | ||
【主权项】:
1.一种背接触太阳能电池,其特征在于:包括P型晶体硅基体,所述P型晶体硅基体的背表面从内到外依次包括隧穿氧化层、交替排列的背表面n+掺杂多晶硅区域和背表面激光开槽区域、背表面钝化膜和背表面金属电极;所述背表面金属电极包括与背表面n+掺杂多晶硅区域欧姆接触的第一背面电极和与背表面激光开槽区域欧姆接触的第二背面电极;所述P型晶体硅基体的前表面从内到外依次为p+掺杂区域和前表面钝化减反膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州中来光电科技有限公司,未经泰州中来光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820123197.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种SiC肖特基二极管
- 下一篇:一种太阳能电池的栅线电极结构以及太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的