[实用新型]一种除胶反应腔及晶圆清理设备有效
| 申请号： | 201820234932.6 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN207834263U | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 唐亚敏 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种除胶反应腔及晶圆清理设备，属于半导体制造技术领域，适用于清除晶圆上的光阻，除胶反应腔包括：多个晶圆处理工位，待处理的晶圆放置在所述晶圆处理工位处；多个顶针装置，分别设置于多个所述晶圆处理工位上，每个所述顶针装置包括一顶针基座和多个顶针，每个所述顶针包括固定部件和垂直设置于所述固定部件上的顶针本体，所述固定部件固定于所述顶针基座内；于每个所述固定部件背向所述顶针本体的一面上设置一压力传感器。上述技术方案的有益效果是：在除胶反应腔中的顶针的底部设置压力传感器，获取计算晶圆位置的数据，使除胶反应腔具备侦测晶圆位置的装置，进而避免晶圆因碰撞而刮伤，掉片，甚至破片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 顶针 反应腔 除胶 固定部件 处理工位 压力传感器 顶针基座 顶针装置 晶圆位置 清理设备 半导体制造技术 本实用新型 垂直设置 掉片 刮伤 光阻 破片 侦测 | ||
【主权项】：
1.一种除胶反应腔，应用于晶圆清理设备内，适用于清除晶圆上的光阻，其特征在于，包括：多个晶圆处理工位，用以放置待处理的晶圆；多个顶针装置，分别对应设置于多个所述晶圆处理工位上，每个所述顶针装置包括一顶针基座和多个顶针，每个所述顶针包括固定部件和垂直设置于所述固定部件上的顶针本体，所述固定部件固定于所述顶针基座内；于每个所述固定部件背向所述顶针本体的一面上设置一压力传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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