[实用新型]一种高压变频器功率单元旁路装置有效

专利信息
申请号: 201820248247.9 申请日: 2018-02-12
公开(公告)号: CN207853784U 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 汤子龙 申请(专利权)人: 北京合康新能科技股份有限公司
主分类号: H02M7/5387 分类号: H02M7/5387;H02M1/32
代理公司: 北京国帆知识产权代理事务所(普通合伙) 11334 代理人: 李增朝
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提出了一种高压变频器功率单元旁路装置,其包括三个电容器C1‑C3,四个绝缘栅双极晶体管IGBT1‑IGBT4,其中,IGBT1与IGBT3串联成的第一线路与IGBT2与IGBT4串联成的第二线路并联;所述高压变频器功率单元旁路装置的输入端/输出端位于IGBT1与IGBT2之间,和所述高压变频器功率单元旁路装置的输出端/输入端位于IGBT3与IGBT4之间;所述电容器C1‑C3依次串联成线路与IGBT1与IGBT2串联成的线路以及IGBT3与IGBT4串联成的线路并联。本用新型采用的功率单元旁路装置,由于采用功率单元逆变侧的IGBT模块实现旁路功能,不需要额外增加功率器件,在制造成本上有巨大优势;另外单元结构与不带旁路功能的功率单元可以保持一致,在制造的流程与工艺上也有优势。
搜索关键词: 功率单元 旁路装置 高压变频器 串联 电容器 旁路功能 线路并联 输出端 输入端 绝缘栅双极晶体管 本实用新型 单元结构 功率器件 依次串联 制造成本 逆变 制造
【主权项】:
1.一种高压变频器功率单元旁路装置,其包括三个电容器C1‑C3,四个绝缘栅双极晶体管IGBT1‑IGBT4,其特征在于:所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT3串联成的第一线路与所述绝缘栅双极晶体管IGBT2与IGBT4串联成的第二线路并联;所述高压变频器功率单元旁路装置的输入端/输出端位于所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT2之间,和所述高压变频器功率单元旁路装置的输出端/输入端位于所述绝缘栅双极晶体管IGBT3与IGBT4之间;所述电容器C1‑C3依次串联成线路与所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT2串联成的线路以及所述绝缘栅双极晶体管IGBT3与IGBT4串联成的线路并联。
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