[实用新型]半导体器件的封装结构有效
申请号: | 201820262527.5 | 申请日: | 2018-02-22 |
公开(公告)号: | CN207818576U | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 刘尧;李军;赵静;孙静;梁斌;周琳丰;高迪 | 申请(专利权)人: | 河北中瓷电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/024 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 郝伟 |
地址: | 050200 河北省石*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半导体器件的封装结构,所述封装结构包括开设通槽的金属板、陶瓷件以及焊接在所述陶瓷件背面的金属热沉,所述陶瓷件和金属热沉垂直插装在所述通槽内、并与所述金属板焊接;所述金属热沉用于设置半导体和配套电路。上述技术方案中,陶瓷件取代玻璃封接,陶瓷件内部有金属化互联,可以制作复杂连接关系的金属化图形,电性能互联更具灵活性;封装结构中采用陶瓷件进行金属化布线,相比机加工圆形引线精度更高,对于高频信号的传输,具有更好的射频性能;在封装结构中增加散热性较高的金属热沉,使得封装外壳具备良好的散热功能。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷件 封装结构 金属热沉 半导体器件 金属板 金属化 通槽 焊接 互联 本实用新型 金属化图形 玻璃封接 封装外壳 高频信号 连接关系 配套电路 散热功能 射频性能 圆形引线 电性能 机加工 散热性 布线 插装 半导体 垂直 传输 制作 | ||
【主权项】:
1.半导体器件的封装结构,其特征在于,包括:金属板,具有彼此相对的第一表面、第二表面和贯穿所述第一、第二表面的通槽;陶瓷件,用于被封装半导体器件的内、外电连接,所述陶瓷件内部设有互连的金属化图形;金属热沉,焊接在所述陶瓷件的背面,用于设置半导体器件和配套电路;所述陶瓷件和金属热沉垂直插装在所述通槽内、并与所述金属板密封连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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