[实用新型]硅基射频电容有效
| 申请号： | 201820291939.1 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN208078026U | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 陈然斌;陈崴;李云峰 | 申请（专利权）人： | 福建省福芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 350001 福建省福州市鼓楼区软*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种硅基射频电容，包括硅基衬底，所述硅基衬底内包括空腔，所述空腔的一侧为硅质薄膜，空腔的内壁没有不同衬底结构间键合的缝隙。解决现有硅基射频电容制作成本高、精度要求高，机械强度不足的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 射频电容 硅基 空腔 硅基衬 衬底结构 硅质薄膜 精度要求 强度不足 键合 内壁 制作 | ||
【主权项】：
1.一种硅基射频电容，其特征在于，包括硅基衬底，所述硅基衬底内包括空腔，所述空腔的一侧为硅质薄膜，空腔的内壁没有不同衬底结构间键合的缝隙。
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