[实用新型]一种准分子激光退火腔室有效
| 申请号： | 201820335530.5 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN207818525U | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 朱声建 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/02;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种准分子激光退火腔室，解决了现有技术中惰性气体与准分子激光器所发射的线状激光从同一缝隙中通过而导致的显示面板晶化不均匀的问题。在本实用新型提供的准分子激光退火腔室中，腔室的顶部包括透光区域和气体注入区域，透光区域和气体注入区域分开设置。 | ||
| 搜索关键词： | 腔室 准分子激光退火 本实用新型 透光区域 注入区域 准分子激光器 惰性气体 分开设置 显示面板 线状激光 不均匀 晶化 发射 | ||
【主权项】：
1.一种准分子激光退火腔室，其特征在于，所述腔室的顶部包括透光区域和气体注入区域，所述透光区域和所述气体注入区域分开设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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