[实用新型]半导体装置和电子设备有效
| 申请号： | 201820361998.1 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN208045488U | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 青木宏宪 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体装置和电子设备，即使层间绝缘膜的厚度较厚时，由于不需要在绝缘膜的贯通孔内连接第1电极和第2电极，因此不需要增大第1电极的宽度，从而能够减小半导体装置的尺寸，并且，由于第1电极和第2电极的在绝缘膜的上方具有较大的连接面积，从而也不会出现由于层间绝缘膜的蚀刻残留而使得第1电极和第2电极的连接不良的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 半导体装置 层间绝缘膜 电子设备 绝缘膜 蚀刻 本实用新型 连接不良 贯通孔 内连接 减小 残留 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有：基板；绝缘膜，其设置在所述基板上；第1电极，其具有以覆盖所述绝缘膜的方式延伸的第1部分以及在所述绝缘膜的两侧处以与所述基板连接的方式分别向远离所述绝缘膜的方向延伸的第2部分；层间绝缘膜，其设置在所述第1电极的所述第2部分上；以及第2电极，其在所述层间绝缘膜和所述第1电极的第1部分上延伸，所述第2电极和所述第1电极在所述绝缘膜的上方连接。
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