[实用新型]一种喷头装置以及湿法刻蚀设备有效
| 申请号： | 201820394361.2 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN208127155U | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 钟良兆;宋金林;付刚;臧利亚 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 许志勇 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种喷头装置以及湿法刻蚀设备，包括：贮存盒、入液管以及若干喷嘴，所述贮存盒包括盒体以及所述盒体形成的贮液腔体，所述入液管连通所述贮液腔体，所述盒体包括底壁，所述底壁开设有若干与所述贮液腔体连通的出液口，各喷嘴均安装至一出液口，所述若干喷嘴非均匀地排布于所述底壁。所以本实用新型喷头装置的贮存盒内装有刻蚀液时，刻蚀液通过非均匀分布地喷嘴喷洒，进而提高刻蚀后的薄膜产品厚度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 喷嘴 喷头装置 贮液腔体 贮存盒 底壁 盒体 湿法刻蚀设备 本实用新型 出液口 刻蚀液 入液管 连通 非均匀分布 厚度均匀性 薄膜产品 非均匀 刻蚀 排布 喷洒 | ||
【主权项】：
1.一种喷头装置，其特征在于，包括：贮存盒、入液管以及若干喷嘴，所述贮存盒包括盒体以及所述盒体形成的贮液腔体，所述入液管连通所述贮液腔体，所述盒体包括底壁，所述底壁开设有若干与所述贮液腔体连通的出液口，各喷嘴均安装至一出液口，所述若干喷嘴非均匀地排布于所述底壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
