[实用新型]一种沟渠式肖特基二极管有效
| 申请号： | 201820473005.X | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN207977319U | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 王锰 | 申请（专利权）人： | 上海芯石半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 上海市浦东新区自由贸易试验*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种沟渠式肖特基二极管，包括基板、磊晶层、掺杂层、金属层、半导体层和沟槽，基板底部设有第一电极，基板顶部设有磊晶层，磊晶层顶部设有掺杂层，掺杂层顶部设有金属层，掺杂层和金属层之间间隔设有若干沟槽，沟槽底部设有氧化层，沟槽内部设有半导体层，金属层顶部设有第二电极，该种沟渠式肖特基二极管，结构设计完整紧凑，通过若干个沟槽的设置，在沟槽填入具有高功函数的金属材料，从而提高肖特基二极管的顺向偏压特性，可承受高逆向偏压，当肖特基二极管处于正向偏压时，通过掺杂层的设置，从而使得肖特基二极管在加载较小的正向电压时就能获得较好的电流信号值的效果，本实用新型设计合理，适合推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 掺杂层 金属层 磊晶层 沟渠 本实用新型 半导体层 基板 金属材料 第二电极 第一电极 电流信号 高功函数 基板顶部 逆向偏压 顺向偏压 正向电压 正向偏压 氧化层 加载 填入 紧凑 | ||
【主权项】：
1.一种沟渠式肖特基二极管，包括基板（2）、磊晶层（3）、掺杂层（4）、金属层（6）、半导体层（7）和沟槽（8），其特征在于，所述基板（2）底部设有第一电极（1），所述基板（2）顶部设有磊晶层（3），所述磊晶层（3）顶部设有掺杂层（4），所述掺杂层（4）顶部设有金属层（6），所述掺杂层（4）和金属层（6）之间间隔设有若干沟槽（8），所述沟槽（8）底部设有氧化层（5），所述沟槽（8）内部设有半导体层（7），所述金属层（6）顶部设有第二电极（9）。
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