[实用新型]存储器及半导体器件

摘要

本实用新型提供了一种存储器及半导体器件，在基底以及位线上形成有间隔材料层，在所述间隔材料层中形成有一开口，所述开口位于所述有源区的所述漏极的上方，并使所述有源区的所述漏极暴露在所述开口中，多个存储节点接触填充在所述间隔材料层的所述开口中，每个存储节点接触连接所述有源区中的一个漏极，以此提高存储器的性能。并且，在所述存储节点接触之间的所述隔离结构上形成有隔离绝缘墙，所述隔离绝缘墙为三层或多层结构，以此提高存储节点接触之间在隔离结构上的电性隔离效果。

主权项

1.一种存储器，其特征在于，包括：基底，所述基底上形成有呈阵列排布的多个有源区，所述有源区沿第二方向延伸，每一所述有源区中形成有一个源极与多个漏极，多个所述漏极位于所述源极的两侧；多条位线，位于所述基底上，所述位线沿第一方向延伸且与相应的有源区相交，以连接所述相应的有源区的所述源极，并利用所述位线分隔所述相应的有源区中位于所述源极两侧的所述漏极；间隔材料层，位于所述基底上，并且所述间隔材料层中形成有一开口，所述开口位于所述有源区的所述漏极的上方，并使所述有源区的所述漏极暴露在所述开口中；多个存储节点接触，填充在所述间隔材料层的所述开口中，每个存储节点接触连接所述有源区中的一个漏极。