[实用新型]一种抗形变基板有效
| 申请号： | 201820612999.9 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN208256676U | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 赵会涛 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李敏 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供的一种抗形变基板，磁性吸附层直接由磁性材料组成，避免了粘性材料的使用，不仅解决了粘性材料对吸附材料的磁性的降低，而且简化了制备工艺；限定磁性吸附层的面积为透明基体的面积的20％‑40％，磁性吸附层的中心部的厚度为边缘部的厚度的2‑4倍，以及中心部的面积为磁性吸附层的面积的10％‑15％；使得透明基体的形变处受力均匀，不仅有效降低或改变基板的形变，而且也能避免基板受力不均导致破碎。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性吸附层 基板 透明基体 粘性材料 抗形变 中心部 磁性材料 受力不均 受力均匀 吸附材料 制备工艺 边缘部 形变处 形变 破碎 | ||
【主权项】：
1.一种抗形变基板，包括透明基体(1)，其特征在于，所述透明基体(1)的表面上形成有磁性吸附层(2)；所述磁性吸附层(2)包括中心部(21)和边缘部(22),所述中心部(21)的厚度大于所述边缘部(22)的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷（固安）科技有限公司，未经云谷（固安）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820612999.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种显示屏及移动终端
- 下一篇：一种优化PiN二极管阳极接触的结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
