[实用新型]离子注入跑片装置有效
申请号: | 201820639703.2 | 申请日: | 2018-04-28 |
公开(公告)号: | CN208157383U | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 钱锋;宋银海;贾银海;姚飞;宋经纬;廖运华 | 申请(专利权)人: | 东莞帕萨电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 舒丁 |
地址: | 523411 广东省东莞市寮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了离子注入跑片装置。该离子注入跑片装置包括水平进出传送区,用于水平运送装载硅片的托盘;垂直输送缓冲区,连通水平进出传送区,用于垂直向上或向下运送托盘;单个水平传送区,用于先后运送多个托盘,单个水平传送区依次具有第一离子注入工位、切换硅片位置工位及第二离子注入工位,第一离子注入工位用于在硅片的第一位置注入第一离子,切换硅片位置工位用于对应硅片的第二位置,第二离子注入工位用于在硅片的第二位置注入第二离子;及垂直输送储存区,用于垂直向上或向下运送托盘。本实用新型所述离子注入跑片装置,离子注入方便、快速、成本低、制作的硅片质量好。 | ||
搜索关键词: | 离子 工位 硅片 托盘 本实用新型 垂直输送 垂直向上 第二位置 硅片位置 水平传送 向下运送 传送区 第一位置 水平运送 缓冲区 储存区 连通 装载 运送 制作 | ||
【主权项】:
1.一种离子注入跑片装置,其特征在于,包括:水平进出传送区,所述水平进出传送区用于水平运送装载硅片的托盘,所述托盘设有若干平行设置的滑轨及一隔板,所述隔板滑动连接若干所述滑轨以沿所述滑轨移动,所述隔板上开设有两排离子注入孔,两排所述离子注入孔的位置相互交叉错开,所述隔板的宽度小于所述托盘的宽度,所述硅片设于所述托盘上所述隔板的下方;初始时所述隔板的第一排所述离子注入孔对应所述硅片的第一位置;垂直输送缓冲区,所述垂直输送缓冲区连通所述水平进出传送区,所述垂直输送缓冲区用于垂直向上或向下运送所述托盘;单个水平传送区,所述单个水平传送区连通所述垂直输送缓冲区,所述单个水平传送区用于先后运送多个所述托盘;所述单个水平传送区依次具有第一离子注入工位、切换硅片位置工位及第二离子注入工位,所述第一离子注入工位用于在所述硅片的第一位置注入第一离子,所述切换硅片位置工位用于移动所述隔板以使所述隔板的第二排所述离子注入孔对应所述硅片的第二位置,所述第二离子注入工位用于在所述硅片的第二位置注入第二离子,所述第二位置相异于所述第一位置;所述第一离子注入工位相对所述第二离子注入工位较靠近所述垂直输送缓冲区;垂直输送储存区,所述垂直输送储存区连通所述单个水平传送区,用于垂直向上或向下运送所述托盘;真空发生器,所述真空发生器用于对所述水平进出传送区、垂直输送缓冲区及垂直输送储存区抽真空。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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