[实用新型]刻蚀清洗机水洗槽有效
| 申请号： | 201820663331.7 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN208422866U | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 甄亮;孔海洋;杨强;黄海燕;陆川 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人： | 李非非;杨兴宇 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例中提供了一种刻蚀清洗机水洗槽，所述刻蚀清洗机水洗槽包括槽体、硅片传送装置和多个高压喷雾水刀：所述槽体设置有贯穿侧壁的硅片入口和硅片出口；所述硅片传送装置设置于所述槽体内部，两端与硅片入口和硅片出口连接；所述多个高压喷雾水刀设置于所述槽体内部的硅片入口处，面向所述硅片传送装置；所述高压喷雾水刀的连接管与供水管道连通。实施例中的水洗槽可利用多个高压喷雾水刀冲洗硅片表面，水压较大，清洁力度高；且由于高压喷雾水刀设置于硅片入口处，还可以在硅片进入水洗槽后及时冲洗硅片，避免化学品溶液过渡腐蚀硅片表面。该水洗槽解决了后段工艺中的丝网并联电阻低、卡漏比例高等问题，有效提升了电池生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 水洗槽 喷雾水 刻蚀清洗机 硅片传送 槽体内部 硅片表面 入口处 槽体 冲洗 本实用新型 化学品溶液 并联电阻 出口连接 电池生产 供水管道 后段工艺 清洁力度 装置设置 连接管 侧壁 卡漏 良率 水压 丝网 连通 腐蚀 贯穿 出口 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀清洗机水洗槽，其特征在于，所述刻蚀清洗机水洗槽包括槽体(100)、硅片传送装置(102)和多个高压喷雾水刀(101)，其中：所述槽体(100)设置有贯穿侧壁的硅片入口和硅片出口；所述硅片传送装置(102)设置于所述槽体(100)内部，两端与硅片入口和硅片出口连接；所述多个高压喷雾水刀(101)设置于所述槽体(100)内部的硅片入口处，面向所述硅片传送装置(102)；所述高压喷雾水刀(101)的连接管(202)与供水管道连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
