[实用新型]半导体凸块金属层制作设备有效
申请号: | 201820700366.3 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN208111400U | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 黄裕鸿;陈英信;姚信宇;詹伟良;彭奎彰;于乃玮;陈奕翔 | 申请(专利权)人: | 天虹科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/67 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 何为;李宇 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体凸块金属层制作设备,包括一前端传送模块、一预烤装置及一后端清洁溅镀模块,所述前端传送模块包含一常压传送室及与该常压传送室相连通的多数基材载入机、一加热加载互锁真空室、一冷却加载互锁真空室,该常压传送室中设有一用于在与其相连通的腔室之间传送多数基材的机械手臂;所述预烤装置与该常压传送室连通;所述后端清洁溅镀模块与该加热加载互锁真空室及该冷却加载互锁真空室相连通。本实用新型可有效去除基材中的水气,而且亦不会占用到真空传送腔体的制程扩充位置。 | ||
搜索关键词: | 加载互锁真空室 传送室 常压 基材 半导体凸块 传送模块 制作设备 金属层 溅镀 预烤 加热 冷却 本实用新型 真空传送腔 机械手臂 清洁 载入机 水气 腔室 去除 制程 连通 传送 占用 | ||
【主权项】:
1.一种半导体凸块金属层制作设备,包括一前端传送模块、一预烤装置及一后端清洁溅镀模块,其特征在于:所述前端传送模块包含一常压传送室及与该常压传送室相连通的多数基材载入机、一加热加载互锁真空室、一冷却加载互锁真空室,该常压传送室中设有一用于在与其相连通的腔室之间传送多数基材的机械手臂;所述预烤装置与该常压传送室连通;所述后端清洁溅镀模块与该加热加载互锁真空室及该冷却加载互锁真空室相连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造