[实用新型]一种过温保护电路

摘要

本实用新型公开了一种过温保护电路，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一电流源、第二电流源和第一三极管；本实用新型提供了一种过温保护电路，实现了当芯片温度超过设定温度时，控制芯片进入过温保护状态，同时，第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第五NMOS管实现迟滞功能，避免电路在过温温度点附近发生热振荡。

主权项

1.一种过温保护电路，其特征在于包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一电流源、第二电流源和第一三极管；所述第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极和第五PMOS管的源极均与电源电压相连接；所述第一三极管的基区、第一三极管的集电极、第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极和第五NMOS管的源极均匀地相连接；所述第二电流源的一端与地相连接，另一端与第一PMOS管的栅极、第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的栅极相连接，第二PMOS管的漏极、第一NMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接于点B，第一NMOS管的栅极、第一电流源的一端和第一三级管的集电极连接于点A，第三PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极、第四PMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极相连接，第四PMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极、第五NMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极和第四NMOS管的栅极相连接，第五PMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极相连接。