[实用新型]半导体存储器

摘要

本实用新型揭示一种半导体存储器，半导体存储器包括衬底、第一接触层、第二接触层和接触间隔结构；第一接触层形成于相邻位线结构之间浅沟槽隔离结构两侧的有源区上，每侧第一接触层的截面包括L型，第一接触层包括覆盖有源区的底部，和覆盖位线结构侧壁的侧部；第二接触层形成于第一接触层的底部上且覆盖侧部的侧壁，其中，第二接触层的刻蚀速率小于第一接触层的刻蚀速率；接触间隔结构形成于浅沟槽隔离结构上方并位于第一接触层和第二接触层之间的空间。本实用新型的第二接触层用作保护层，以使在过度刻蚀第一接触层时，减少对浅沟槽隔离结构两侧硅的刻蚀，减少半导体存储器单元接触的缺陷。

主权项

1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括形成在所述衬底中的多个有源区、隔离各所述有源区的浅沟槽隔离结构、部分形成在所述有源区中的多条字线、以及部分形成在所述有源区上且位于两条所述字线之间的多个位线结构；第一接触层，形成于相邻所述位线结构之间所述浅沟槽隔离结构两侧的有源区上，每侧所述第一接触层的截面包括L型，所述第一接触层包括覆盖所述有源区的底部，和覆盖所述位线结构侧壁的侧部；第二接触层，形成于所述第一接触层的底部上且覆盖所述侧部的侧壁，其中，所述第二接触层的刻蚀速率小于所述第一接触层的刻蚀速率；接触间隔结构，形成于所述浅沟槽隔离结构上方并位于所述第一接触层和所述第二接触层之间的空间，以间隔单元接触。