[实用新型]一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置有效
| 申请号： | 201820897772.3 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN208545485U | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 洪明;陈飞鹏;骆水连;刘强;魏广;秦丽丽;李亚丽;夏成明 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 张洁;仇蕾安 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本实用新型属于磁控溅射镀膜设备领域，具体涉及一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，所述装置包括永磁体、磁轭、微调装置和支撑部件；所述永磁体固定在磁轭上，支撑部件固定在磁控溅射腔室内，支撑部件上开设有孔，微调装置穿过支撑部件上的孔与磁轭接触。本实用新型所述装置克服了现有磁控溅射阴极靶磁场分布不均匀，不方便调节的问题；且结构简单，易于安装。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑部件 磁控溅射阴极 磁轭 本实用新型 磁场均匀性 矩形平面 微调装置 永磁体 磁控溅射镀膜设备 磁场分布 磁控溅射 方便调节 不均匀 穿过 室内 | ||
【主权项】：
1.一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，其特征在于：所述装置包括永磁体(1)、磁轭(2)、微调装置(3)和支撑部件(4)；所述永磁体(1)固定在磁轭(2)上，支撑部件(4)与磁控溅射腔室壁固定，支撑部件(4)上开设有孔，微调装置(3)穿过支撑部件(4)上的孔与磁轭(2)接触。
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