[实用新型]一种MOS管的驱动增强电路

摘要

本实用新型专利公开了一种MOS管的驱动增强电路，包括驱动信号输入单元、信号隔离单元、缓冲处理单元和MOS组件单元，在驱动信号输入单元增加了第二三极管和第五电阻，在缓冲处理单元增加了增强型的双通道的超快速MOS驱动器U2，该增强之后的驱动电路，较常规的MOS管的驱动电路，具有驱动增强功能，适用20kHz以上驱动信号的工作。

主权项

1.一种MOS管的驱动增强电路，包括驱动信号输入单元（10）、信号隔离单元（20）、缓冲处理单元（30）和MOS组件单元（40），所述驱动信号输入单元（10）包括第一电阻（R1）和第一电容（C1），所述信号隔离单元（20）包括第一输出引脚（4）、第二输出引脚（5）和第三输出引脚（6），所述第二输出引脚（5）依次通过第二电阻（R2）、第三电阻（R3）与所述MOS组件单元（40）的基极（G）相连接，所述第一输出引脚（4）和所述第三输出引脚（6）之间连接有第二电容（C2），所述MOS组件单元（40）的发射极和地信号（GND_UP）连接，所述缓冲处理单元（30）还包括第四电阻（R4）和第四电容（C4），所述第四电阻（R4）的一端与所述地信号（GND_UP）连接，另一端与所述MOS组件单元（40）的基极相连接，所述第四电容（C4）的一端与所述地信号（GND_UP）连接，另一端与所述MOS组件单元（40）的基极相连接，其特征在于，所述驱动信号输入单元（10）还包括第二三极管（Q2）和第五电阻（R5），所述第二三极管（Q2）和所述第五电阻（R5）串联连接在所述第一电容（C1）和所述第一电阻（R1）之间，所述第五电阻（R5）的一端与所述第一电容（C1）连接，另一端与所述第二三极管（Q2）的基极相连接；所述第二三极管（Q2）的集电极与电源正极（+5V）相连接，所述第二三极管（Q2）的发射极与所述第一电阻（R1）相连接。