[实用新型]LDO和POR的复用电路有效
| 申请号： | 201820940026.8 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN208226983U | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 苏奎任;高城;莫冰;郭建平 | 申请（专利权）人： | 思力科（深圳）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/693 | 分类号： | H03K17/693 |
| 代理公司： | 深圳鹏睿知识产权代理有限公司 44530 | 代理人： | 魏思凡 |
| 地址： | 518004 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种LDO和POR的复用电路，涉及电子电路技术领域。所述LDO和POR的复用电路包括一放大器、一MOS晶体管及一施密特触发器，所述比较器连接所述MOS晶体管、及连接所述施密特触发器，所述比较器还连接第一电阻和第二电阻之间的公共端，所述MOS晶体管连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端为所述一电阻和所述第二电阻之间的公共端。本实用新型可以进一步降低LDO电路的功耗，整合LDO和POR电路中的共用部分来降低芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 复用电路 施密特触发器 本实用新型 比较器 公共端 放大器 电子电路技术 功耗 整合 电路 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种LDO和POR的复用电路，其特征在于：包括一放大器、一MOS晶体管及一施密特触发器，所述比较器连接所述MOS晶体管、及连接所述施密特触发器，所述比较器还连接第一电阻和第二电阻之间的公共端，所述MOS晶体管连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端为所述一电阻和所述第二电阻之间的公共端。
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