[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201820948488.4 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN208433413U | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 田武;汪宗武;许文山;孙超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体结构，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括位于衬底表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；所述栅极包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域内掺杂有第一掺杂离子，所述第二掺杂区域掺杂有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子为P型掺杂离子，所述第一掺杂离子能够提高所述P型掺杂离子在所述栅极内的分凝系数。上述半导体结构能够避免栅极耗尽，提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 掺杂离子 掺杂区域 衬底表面 栅极结构 栅介质层 离子 掺杂 本实用新型 分凝系数 衬底 耗尽 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括位于衬底表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；所述栅极包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域内掺杂有第一掺杂离子，所述第二掺杂区域掺杂有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子为P型掺杂离子，所述第一掺杂离子能够提高所述P型掺杂离子在所述栅极内的分凝系数。
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